半导体超晶格国家重点实验室副主任王开友研究员来我实验室讲学
发布时间:2016-10-24 浏览次数:

 

 

  1021日下午,半导体超晶格国家重点实验室副主任、博士生导师、国家杰出青年基金获得者王开友研究员应邀做客我校“瑶湖名家讲坛”,在微纳材料与传感实验室学术报告厅1303会议室作了题为“层状二维晶体及其异质结光电探测器”的学术报告。实验室师生30 余人参加了报告会。

   王开友研究员介绍了二维材料特有的物理性质,其带隙可以从06eV,基于它的光电探测器受到人们的广泛关注。通过对顶电极和底电极两种器件结构的GaSe金属半导体光电探测器光响应度随电极间距的变化规律系统研究,发现光响应度随着电极间距的增大而非线性衰减。通过空间分辨的光电流测量,发现光电流的最大贡献主要是处于高电势端的肖特基势垒附近的电子。分析了未来几年二维材料技术发展的目标与面临的挑战,并勉励科研工作者和研究生从事科学研究要勇于创新、持之以恒。报告内容新颖,立足前沿,学术见解深刻独到,师生们受益匪浅。报告会后,王开友研究员与现场师生进行互动交流,就大家提出的疑问和感兴趣的问题作了详细的回复,现场学术气氛热烈浓厚。

   王开友,研究员,博士生导师,国家杰出青年基金获得者,半导体超晶格国家重点实验室副主任。 2005年在英国诺丁汉大学天文物理学院获得哲学博士学位。20053月-5月在诺丁汉大学作研究助理 , 20056月-20093月在日立剑桥研究实验室作Researcher。曾经两次在波兰科学院物理研究所做访问研究,并作为访问教授在丹麦玻尔研究所进行短期访问研究。2009年得到中国科学院"百人计划"的资助,加入半导体研究所超晶格国家重点实验室工作,迄今在国际核心刊物和国际会议上合作发表了80多篇科技论文,发表的文章被引用2800多次。 在27届国际半导体会议上被国际纯物理和应用物理组织(IUPAP)评为“青年优秀作者奖”; 且获得第二届“中国海外优秀自费留学生奖”;2012年获得“国家杰出青年基金”资助;2014年获得“中国侨界(创新人才)贡献奖”,并获得百人计划终期评估优秀。当前的研究兴趣主要是自旋电子学器件及低维纳米器件的物理特性研究。